碳化硅是一種人造材料，分子式為SiC，隕石及地殼上偶然存在碳化硅。碳化硅分子量為40.07，密度為3.16～3.2g/cm3。SiC具有α和β兩種晶型，當(dāng)溫度低于1600℃時，SiC以β-SiC形式存在，當(dāng)高于1600℃時，β-SiC轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC的形式。

碳化硅以共價鍵為主，共價鍵約占88%。晶格的基本結(jié)構(gòu)是互相穿插的SiC4和CSi4四面體。由于四面體堆積次序的不同形成不同的結(jié)構(gòu)，至今已發(fā)現(xiàn)幾百種變體，常見的結(jié)構(gòu)如3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等堆積規(guī)律。

碳化硅的化學(xué)穩(wěn)定性與其氧化特性有密切關(guān)系，碳化硅本身很容易氧化，但它氧化之后形成了一層二氧化硅薄膜，氧化進(jìn)程逐步被阻礙。

在空氣中，碳化硅于800℃時就開始氧化，但很緩慢；隨著溫度升高，則氧化速度急速加快。碳化硅的氧化速率，在氧氣中比在空氣中快1.6倍；氧化速率的速度隨著時間推移而減慢。

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